N溝道600V/12mA耗盡型MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-05-30 15:01

MOS管主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。海飛樂高壓大功率VDMOS(增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET)具有開關(guān)速度快、輸入阻抗大、熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn)，是工程師們很好的選擇。
海飛樂F501DA4，硅N溝道600V/12mA耗盡型MOSFET，采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于啟動保護(hù)等。包裝形式為TO-252，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

F501DA4特點(diǎn)：
N溝道
ESD能力提升
耗盡型
dv/dt額定值
無鉛電鍍；符合RoHS
無鹵

F501DA4絕對值參數(shù)

F501DA4電氣特性

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多耗盡型MOSFET及相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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