??N溝道增強(qiáng)型35A/30V MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-07-23 18:10
海飛樂技術(shù)35N03AD3，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓30V，電流35A，內(nèi)阻4.7mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻，低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為QFN 3.3×3.3，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
35N03AD3特點(diǎn)：
RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V (Typ：4.7mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
35N03AD3應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型35A/30V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型35A/30V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型35A/30V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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