??N溝道增強(qiáng)型400A/40V MOSFET
作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-08-05 18:03
MOSFET主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOSFET必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOSFET。n溝道耗盡型MOSFET是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOSFET。
海飛樂(lè)技術(shù)400N04A47，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓40V，電流400A，內(nèi)阻1.4mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻，低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為TO-247，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
400N04A47特點(diǎn)：
RDS(ON) <1.65mΩ @ VGS=10V (Typ：1.4mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
400N04A47應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型400A/40V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型400A/40V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型400A/40V MOSFET特性曲線圖
MOSFET工作原理
MOSFET的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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