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N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET

作者:海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間:2019-08-29 17:44

N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET 
  海飛樂(lè)技術(shù)100N20LAN是采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET,它可以降低導(dǎo)通損耗,改善開(kāi)關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開(kāi)關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為T(mén)O-3P,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
100N20LAN點(diǎn)
ESD能力提升
快速開(kāi)關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
 
100N20LAN應(yīng)用:
電源開(kāi)關(guān)電路
工業(yè)電源
通信電源
 
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET特性曲線圖 
 
N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET 其它封裝:SOT-227
SOT-227封裝N溝道增強(qiáng)型100A/200V MOSFET 
 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國(guó)外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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