N溝道增強(qiáng)型20A/650V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-12-19 09:37

海飛樂技術(shù)20N65ANH是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-3P(N)，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

20N65ANH特點(diǎn)：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤0.4Ω)
低柵極電荷(65nC)
低反向傳輸電容(20pF)
100%單脈沖雪崩能量測試

20N65ANH應(yīng)用：
適配器和充電器的電源開關(guān)電路

N溝道增強(qiáng)型20A/650V MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型20A/650V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型20A/650V MOSFET特性曲線圖

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