N溝道100A/600V大電流超結(jié)MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-11-29 12:11

海飛樂FN100N60J，硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，采用自對準(zhǔn)超結(jié)技術(shù)，降低了導(dǎo)通損耗，改善了開關(guān)性能，提高了雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為SOT-227B，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

FN100N60J特點(diǎn)：
專有的新超結(jié)技術(shù)
RDS(ON).typ.=18mΩ
低柵極電荷使開關(guān)損耗最小化
100%單脈沖雪崩能量測試

FN100N60J應(yīng)用：
適配器
充電器
開關(guān)電源備用電源
開關(guān)穩(wěn)壓器

N溝道100A/600V超結(jié)MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道100A/600V超結(jié)MOSFET電參數(shù)

N溝道100A/600V超結(jié)MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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