N溝道增強(qiáng)型18A/500V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2020-01-08 17:44

海飛樂技術(shù)18N50FA9是采用自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

18N50FA9特點(diǎn)：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤0.31?)
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試

18N50FA9應(yīng)用：
適配器和充電器的電源開關(guān)電路

N溝道增強(qiáng)型18A/500V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型18A/500V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型18A/500V MOSFET電參數(shù)

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