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N溝道增強型12A/1000V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2020-02-28 15:16

N溝道增強型12A/1000V MOSFET 
  海飛樂技術(shù)12N100A47是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強型高壓MOSFET,它可以降低導(dǎo)通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-247,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
12N100A47
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻(Rdson≤1.0?)
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
12N100A47應(yīng)用:
轉(zhuǎn)換器
充電器
開關(guān)電源電路
 
N溝道增強型12A/1000V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型12A/1000V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型12A/1000V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型12A/1000V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型12A/1000V MOSFET特性曲線
N溝道增強型12A/1000V MOSFET特性曲線 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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