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N溝道增強型80A/100V MOSFET

作者:海飛樂技術 時間:2020-03-19 11:42

N溝道增強型80A/100V MOSFET 
  海飛樂技術場效應管80N10A8采用了獨特優(yōu)化的超級溝槽技術,提供最高效的高頻開關性能。由于RDS(ON)和Qg的極低組合,使導通和開關功率損耗都得到了最小化。該器件是高頻開關和同步整流的理想器件。包裝形式為TO-220AB,符合RoHS標準。
 
 
80N10A8
RDS(ON) <8m? @ VGS=10V
超低導通損耗的高密度單元設計
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
 
80N10A8應用:
電源開關應用
硬開關和高頻電路
不間斷電源
 
N溝道增強型80A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型80A/100V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型80A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型80A/100V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型80A/100V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型80A/100V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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