N溝道增強型80A/100V MOSFET
作者:海飛樂技術 時間:2020-03-19 11:42
80N10A8特點:
RDS(ON) <8m? @ VGS=10V
超低導通損耗的高密度單元設計
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
80N10A8應用:
電源開關應用
硬開關和高頻電路
不間斷電源
N溝道增強型80A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型80A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型80A/100V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
上一篇:N溝道增強型90A/70V MOSFET
下一篇:N溝道耗盡型200mA/150V MOSFET