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N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2020-06-15 16:38

 N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET 
 
  海飛樂技術(shù)3400K,N溝道增強(qiáng)型MOSFET,電壓30V,電流5.8A,內(nèi)阻30mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻,低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用。包裝形式為SOT-23,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
3400K點(diǎn)
RDS(ON) <30mΩ @ VGS=10V
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
 
3400K應(yīng)用:
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型6A/30V MOSFET電參數(shù) 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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