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N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2020-09-14 09:50

1700V高壓MOSFET 
  海飛樂3N170FA9,硅N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET,采用自對準(zhǔn)平面技術(shù),降低導(dǎo)通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量,具有開關(guān)速度高、功耗低、熱穩(wěn)定性好、工藝簡單等特點。該MOSFET管可用于各種功率開關(guān)電路,開關(guān)電源、驅(qū)動馬達(dá)、家用電器等領(lǐng)域。使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-220F,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
3N170FA9
快速切換
低導(dǎo)通電阻
門控電荷低,開關(guān)損耗小
快恢復(fù)體二極管
100%單脈沖雪崩能量試驗
 
3N170FA9應(yīng)用:
適配器
充電器
SMPS備用電源
 
3N170FA9絕對值參數(shù)
3N170FA9絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型3A/1700V高壓MOSFET特性曲線圖 
 
使用MOSFET注意事項
  MOSFET在關(guān)斷瞬間,會承受到最大的電壓沖擊,這個最大電壓跟負(fù)載有很大關(guān)系:如果是阻性負(fù)載,那就是來自VCC端的電壓,但還需要考慮電源本身的質(zhì)量,如果電源質(zhì)量不佳,需要在前級加些必要的保護(hù)措施;如果是感性負(fù)載,那承受的電壓會大不少,因為電感在關(guān)斷瞬間會產(chǎn)生感生電動勢(電磁感應(yīng)定律),其方向與VCC方向相同(楞次定律),承受的最大電壓為VCC與感生電動勢之和;如果是變壓器負(fù)載的話,在感性負(fù)載基礎(chǔ)上還需要再加上漏感引起的感應(yīng)電動勢。
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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