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N溝道增強型110A/200V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2020-12-01 15:36

N溝道增強型110A/200V MOSFET 
  海飛樂技術(shù)110N20A47是110A200V硅N溝道增強型VDMOSFET，采用先進的溝槽技術(shù)，可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-247，符合RoHS標準。
 
110N20A47特點：
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
110N20A47應(yīng)用：
電源開關(guān)電路
工業(yè)電源
通信電源
 
N溝道增強型110A/200V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型110A/200V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型110A/200V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型110A/200V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型110A/200V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型110A/200V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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