英飛凌推第六代650V碳化硅肖特基二極管

  肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。

  據(jù)悉，英飛凌科技股份公司推出第六代650V CoolSiC肖特基二極管，是CoolSiC二極管產(chǎn)品系列的最新成員。它立足于第五代產(chǎn)品與眾不同的特性，能確?？煽啃?、質(zhì)量并提高效率。CoolSiC G6二極管是對600 V和650V CoolMOS 7產(chǎn)品系列的完美補充。它們面向當(dāng)前和未來的服務(wù)器和PC電源、電信設(shè)備電源和光伏逆變器應(yīng)用。
  第六代650 V CoolSiC肖特基二極管采用全新布局以及全新專有肖特基金屬系統(tǒng)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)也與上代產(chǎn)品完全不同。其結(jié)果就是樹立行業(yè)標(biāo)桿VF(1.25 V)，以及比上一代產(chǎn)品低17%的Qc x VF 優(yōu)質(zhì)系數(shù)(FOM)。此外，新推出的第六代全新二極管充分發(fā)揮碳化硅的強大特性——獨立于溫度的開關(guān)性能和沒有反向恢復(fù)電荷。
  該器件的設(shè)計有助于在所有負(fù)載條件下提高效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。因此， 第六代650 V CoolSiC肖特基二極管具備降低散熱要求、提高系統(tǒng)可靠性和極快開關(guān)速度等諸多優(yōu)勢。新款器件是具備最佳性價比的新一代碳化硅二極管產(chǎn)品。
  SBD 在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲存，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低，硅 SBD 的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在 150 ℃以上工作。然而，碳化硅 SBD彌補了硅 SBD 的不足，許多金屬，例如鎳、金、鈀、鈦、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度 1 eV 以上的肖特基接觸。據(jù)報道，Au/4H-SiC 接觸的勢壘高度可達(dá)到 1.73 eV，Ti/4H-SiC 接觸的勢壘比較低，但最高也可以達(dá)到 1.1 eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，最低只有 0.5 eV，最高可達(dá)1.7 eV。于是，SBD 成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對象。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件。



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