PIN結(jié)構(gòu)二極管的工作原理
作者:海飛樂技術(shù) 時間:2017-02-14 17:58
PIN二極管是在p型和n型材料之間插入一個本征層構(gòu)成的,即PIN二極管由二層半導體構(gòu)成:高濃度的P+區(qū),高濃度的N+區(qū),二者之間的高阻本征I區(qū)。因PIN管的使用材料和加工工藝等原因,I層中含有少量的 P型或N型雜質(zhì),稱為PπN管或PvN管。其結(jié)構(gòu)如圖1-1。
1.1直流狀態(tài)下
1.1.1零偏下
PIN管在零偏時實際上是雙結(jié)二極管,因I層含有少量P型雜質(zhì),所以IN結(jié)是個PN結(jié)。零偏時,擴散作用使N層電子向I層擴散,I層空穴向N層擴散,在IN結(jié)兩邊便形成了一個空間電荷區(qū)。因為N層電子濃度遠高于I層空穴濃度,故N層的空間電荷層極薄,而I層較N層的空間要厚得多,整個IN結(jié)的寬度基本上等于I層空間電荷層的寬度。而在PI層交界處,由于雜質(zhì)濃度的差異,也會產(chǎn)生一些載流子的擴散運動,但比IN結(jié)小得多,整體上可以忽略不計,所以,PIN管在零偏時的空間電荷分布同PN結(jié)一樣,而1層有兩個部分:一部分為空間電荷層,即耗盡層,其中載流子已耗盡,電阻率很高;另一部分是I層。其中只有少量載流子。所以,在零偏壓時,PIN管星高阻抗。
1.1.2正偏下
1.1.2.1基本分析
加正向偏壓時,P層空穴和N層電子在外電場作用下向I層注入,兩者在I層復合,但由于電源的存在,載流子源源不斷地得到補充,注入載流子數(shù)目和復合載流子數(shù)目相等時達到平衡,注入電流達到了穩(wěn)定值。這時,因I層中儲存大量載流子,使l 層電阻率下降,所以,PIN管正向偏壓時,呈低阻抗。外加正偏壓愈大,通過PIN管電流愈大,I層電阻就越低。通過具體的分析計算可以得到正篇電阻為:
1.1.2.2等效電路
正偏下,PIN管等效電路如圖1-2所示。Rj為I層正偏時的電阻;Cj為正偏時結(jié)電容和擴散電容之和,但近似等于擴散電容。擴散電容是注入載流子在I層邊界上產(chǎn)生的儲存所引起的電容,遠大于結(jié)電容。
1.1.3反偏下
1.1.3.1基本分析
在加反向偏壓時,外加電壓產(chǎn)生的電場與內(nèi)建電場一致,使總電場增加。IN結(jié)的空間電荷區(qū)變寬,且主要向I層展寬。隨著反向電壓的增大。I層的空間電荷不斷展寬;當反向偏壓增大到某一定值時,整個I層變?yōu)榭臻g電荷層,呈現(xiàn)穿通狀態(tài),這時的電壓稱為穿通電壓。同時,PIN管在反偏壓時的阻抗值比零偏時的大。
1.1.3.2等效電路
反向偏置時,等效電路較為復雜,當反向電壓小于穿通電壓時,I層未穿通,且分成耗盡區(qū)和非耗盡區(qū)兩部分。耗盡區(qū)用電阻Rj和電容Cj并聯(lián)表示,Rj為耗盡區(qū)電阻,值很小,在幾兆歐量級;Cj為Pl或IN結(jié)的電容,約等于十分之幾皮法。非耗盡層區(qū)用電阻Ri,和電容Ci并聯(lián)表示,其中Ri約幾千歐,電容Ci也在十分之幾皮法。反向狀態(tài)等效電路如圖1-3所示。
1.2交流狀態(tài)
1.2.1低頻下
PlN管對交流信號所呈現(xiàn)的特性與信號頻率和幅度有關(guān)。低頻段時,由于交流信號周期很大。載流子進出I層的渡越時間與之相比可以忽略,這時。交流信號正半周的PIN管特性與加正向良流偏壓時相同,呈低阻抗特性;負半周的特性與加反向直流偏壓時相同,呈高阻抗特性。所以,PIN管在低頻段與普通PN結(jié)二極管相似,且有單向?qū)щ娦裕捎米稣髟?br />
1.2.2高頻下
信號頻率增加后,載流子進出I層的渡越時間與交流信號周期相比不可忽略,PIN管的整流作用就逐漸變?nèi)?。當信號從負半周變?yōu)檎胫軈?,正負載流子從I層兩側(cè)注入,但擴散需要一定時間,在載流子尚未擴散到I層中間時,外加信號已由正變負。因此。在正半周I層尚未真正導通;而當信號由正半周變?yōu)樨摪胫軙r。載流子想I層注入立刻停比,I層中正負載流子由于復合作用而減少。但由于載流子壽命比交流信號半周期長,留在I層中正負載流子還未全部復合,外加信號就又轉(zhuǎn)到正半周去了,所以在負半周內(nèi)工層中始終存在一定數(shù)量的正負載流子,二極管并未達到真正截止。因此,在頻率上升時,特別是在微波頻率下,PlN管根本不能用作整流檢波元件,即它對微波頻率的正半周和負半周的響應(yīng)已經(jīng)沒有顯著區(qū)別,可以近似作為線性元件來使用。
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