??超結(jié)場效應(yīng)管COOLMOS參數(shù)選型
作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-10-25 17:44
COOL MOS 也叫超結(jié)場效應(yīng)管SJ-MOS(super junction mosfet)。 一種基于電子科技大學(xué)陳星弼院士發(fā)明專利，打破傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限，被國際上盛譽(yù)為功率MOSFET領(lǐng)域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年問世并很快走向市場。Cool-MOS由于采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，在幾乎保持功率MOSFET所有優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，又有著極低的導(dǎo)通損耗。
海飛樂技術(shù)超結(jié)場效應(yīng)管COOLMOS參數(shù)選型表
海飛樂技術(shù)COOLMOS的主要優(yōu)點(diǎn)：
1. 通態(tài)阻抗小，通態(tài)損耗小。
由于Cool-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中Cool-MOS的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導(dǎo)通損耗，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，Cool-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。
2. 同等功率規(guī)格下封裝小，有利于功率密度的提高。
首先，同等電流以及電壓規(guī)格條件下，Cool-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積，這樣作為MOS的廠家，對于同一規(guī)格的產(chǎn)品，可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。
其次，由于Cool-MOS的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗，因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們在實(shí)際中往往會增加散熱器來降低MOS單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于Cool-MOS可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用Cool-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。
3. 柵電荷小，對電路的驅(qū)動能力要求降低。
傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對較大，我們在實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會遇到由于IC的驅(qū)動能力不足造成的溫升問題，部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC的驅(qū)動能力，確保MOSFET的快速導(dǎo)通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅(qū)動電路，從而增加了電路的復(fù)雜性。Cool-MOS的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅(qū)動能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。
4. 節(jié)電容小，開關(guān)速度加快，開關(guān)損耗小。
由于Cool-MOS結(jié)構(gòu)的改變，其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過程中的損耗。 同時(shí)由于Cool-MOS柵電容也有了響應(yīng)的減小，電容充電時(shí)間變短，大大的提高了Cool-MOS的開關(guān)速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯。
相關(guān)資料下載
海飛樂技術(shù)超結(jié)場效應(yīng)管Cool-MOS系列選型表
上一篇：600V30A二極管替換DSEC30-06A
下一篇：替換HFA30PA60C/RHRG1560CC/STTH30AC06C