IRFB31N20DPBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

  IRFB31N20DPBF場效應(yīng)管，200V/31A，導(dǎo)通電阻0.082Ω，TO-220封裝。低開關(guān)損耗，快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換速率。應(yīng)用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器。
 
IRFB31N20DPBF應(yīng)用
高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
無鉛
 
IRFB31N20DPBF特性
低柵、漏極，減少開關(guān)損耗
充分表征電容，包括有效COSS簡化設(shè)計
完全表征雪崩電壓和電流
 
IRFB31N20DPBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:31 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.5 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 55℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:200 W
尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
正向跨導(dǎo)-最小值:17s
下降時間:10 ns
上升時間:38 ns
典型關(guān)閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:6 g
 
IRFB31N20DPBF其他參數(shù)

 
IRFB31N20DPBF特性曲線圖  
 
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