IRFP4227PBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRFP4227PBF應(yīng)用
  IRFP4227PBF是HEXFET功率MOSFET，專門為等離子體顯示面板中的持續(xù)能量恢復(fù)通過開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的。采用最新的處理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)每硅面積的低導(dǎo)通電阻和低脈沖額定值。具有175℃的工作結(jié)溫度和高重復(fù)峰值電流能力。這些特性結(jié)合在一起，使這種MOSFET成為PDP驅(qū)動應(yīng)用中高效、耐用、可靠的器件。

IRFP4227PBF特性
先進(jìn)工藝技術(shù)
為PDP維持優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù)，
能量回收和通路開關(guān)應(yīng)用
低脈沖額定值以降低功率
PDP維持、能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用中的耗散
低QG快速響應(yīng)
高重復(fù)峰值電流能力，運(yùn)行可靠
快速切換，下降和上升時間短
175℃工作結(jié)溫度，提高耐用性
重復(fù)雪崩能力，魯棒性和可靠性
D類音頻放大器300W-500W（半橋）
 
IRFP4227PBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:65 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:70 nC
工作溫度范圍:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸大小:20.7 mm×15.87 mm×5.31 mm
正向跨導(dǎo)-最小值:49 S
下降時間:31 ns
上升時間:20 ns
典型關(guān)閉延遲時間:21 ns
典型接通延遲時間:33 ns
單位重量:38 g
 
IRFP4227PBF電力特性

 
IRFP4227PBF特性曲線圖  
 
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