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8A/650V碳化硅肖特基二極管

作者:海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間:2019-07-17 17:59

8A/650V碳化硅肖特基二極管 
  碳化硅肖特基二極管在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢(shì)在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài),當(dāng)二極管從正向?qū)J睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄J綍r(shí),有很低的反向恢復(fù)時(shí)間,而且在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)保持不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒(méi)有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài),所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷,而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷電壓或高溫條件的器件非常有利。
  這種特性實(shí)現(xiàn)了功率電子器件的突破,解決了高頻電子應(yīng)用中,二極管速度限制整個(gè)電路性能的主要瓶頸。商業(yè)化的SIC SBD已應(yīng)用于高頻開(kāi)關(guān)電源、功率因數(shù)校正和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管特性
·零反向恢復(fù)電流
·零正向恢復(fù)電壓
·工作結(jié)溫度175℃
·獨(dú)立開(kāi)關(guān)特性
·正溫度系數(shù)VF
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)
·單極型器件
·幾乎無(wú)開(kāi)關(guān)損耗
·更高工作效率
·散熱片尺寸減小
·并聯(lián)無(wú)熱失控
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域
開(kāi)關(guān)電源
功率因數(shù)校正
電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電站
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管最大額定值
8A/650V碳化硅肖特基二極管最大額定值 
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管電特性
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8A/650V碳化硅肖特基二極管熱特性 
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管曲線特性
8A/650V碳化硅肖特基二極管曲線特性圖1、2 
8A/650V碳化硅肖特基二極管曲線特性圖3、4 
8A/650V碳化硅肖特基二極管曲線特性圖5 
 
8A/650V碳化硅肖特基二極管封裝形式:TO-220-2
8A/650V碳化硅肖特基二極管封裝 



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