碳化硅在微波二極管中的應(yīng)用
點(diǎn)接觸式探測二極管是發(fā)展最早的器件之一,是一種將金屬點(diǎn)壓在半導(dǎo)體表面的簡單結(jié)構(gòu)。1906年,Henry Harrison Chase Dunwoody獲得了無線電報(bào)系統(tǒng)的專利,這個(gè)系統(tǒng)應(yīng)用了一種探測無線電波的氮化鎵晶體,發(fā)現(xiàn)者將其稱為“微波響應(yīng)器”。圖1顯示了這個(gè)專利在晶體上附加電極的幾種方法。通常,這種探測器的晶體表面點(diǎn)接觸連接通過很小的導(dǎo)線(觸須線),而另一端的大面積接觸通常采用低熔點(diǎn)合金。氮化鎵探測器需要電壓偏置,而且靈敏度比方鉛礦低,但是它的機(jī)械穩(wěn)定性高,可以被調(diào)整和焊接封裝在管殼中,如圖2所示。通過這種方法制造的器件可以看成是點(diǎn)接觸肖特基二極管。這種采用傳統(tǒng)半導(dǎo)體制造,用于混頻器或探測器的二極管,仍然是微波接收器中廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。這種器件雖然被稱為SIC“微波響應(yīng)器”,但工作頻率100kHz,與微波頻率范圍相差甚遠(yuǎn)。盡管如此,它仍被作為氮化鎵微波二極管的先驅(qū)。
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