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宇航用硅基高壓快恢復(fù)二極管單粒子燒毀效應(yīng)

作者:海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間:2021-10-20 17:05

  我國(guó)在研制的新一代航天器,為了提高性能,降低質(zhì)量,需要使用高壓快恢復(fù)整流二極管,如新一代長(zhǎng)壽命平臺(tái)衛(wèi)星將采用電推進(jìn)技術(shù),需要使用1200V高壓快恢復(fù)整流二極管。航天器電源系統(tǒng)減重對(duì)高壓功率器件提出了迫切的應(yīng)用需求。美國(guó)NASA以太陽(yáng)能電源系統(tǒng)為例進(jìn)行推算,使用300V電壓的太陽(yáng)能電池陣,相比120V電壓方案,可降低質(zhì)量2457kg,實(shí)現(xiàn)越高的電壓就會(huì)節(jié)省越多的質(zhì)量。高壓快恢復(fù)二極管是新一代航天器的關(guān)鍵元器件,具有廣泛的應(yīng)用前景。
  航天器工作在空間輻射環(huán)境中,空間輻射效應(yīng)會(huì)引起電子器件的性能退化,甚至失效,危害航天器在軌工作的長(zhǎng)期連續(xù)穩(wěn)定性能。電子器件空間輻射效應(yīng)包括單粒子效應(yīng)、電離總劑量效應(yīng)、位移損傷效應(yīng),因此,對(duì)航天器用電子器件有抗輻射指標(biāo)要求,如對(duì)于地球同步軌道長(zhǎng)壽命衛(wèi)星,一般要求抗電離總劑量大于100krad(Si),抗單粒子燒毀(SEB)、單粒子鎖定(SEL)線性能量傳輸(LET)大于75MeV·cm2/mg。同時(shí),為了確保航天器的長(zhǎng)期可靠性,元器件使用必須滿(mǎn)足可靠性降額準(zhǔn)則,根據(jù)航天器一級(jí)降額準(zhǔn)則,1200V高壓快恢復(fù)整流二極管安全工作區(qū)應(yīng)不低于720V。
  早期型號(hào)應(yīng)用的二極管反向擊穿電壓不高,一般認(rèn)為二極管對(duì)單粒子不敏感。隨著新技術(shù)的發(fā)展,對(duì)二極管反向電壓提出了更高要求,但是對(duì)于高壓二極管單粒子效應(yīng)研究相對(duì)減少,因此文中展開(kāi)了硅基高壓快恢復(fù)整流二極管的單粒子效應(yīng)的部分研究。
 
1. 試驗(yàn)方法
  有效的單粒子評(píng)估試驗(yàn)方法是評(píng)估器件抗單粒子能力的基礎(chǔ),為器件在型號(hào)中的安全應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支撐。高壓快恢復(fù)整流二極管由于耐壓高,器件本身的工藝結(jié)構(gòu)特殊,給單粒子評(píng)估試驗(yàn)帶來(lái)很大難度,亟需系統(tǒng)研究高壓二極管單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法。
 
1.1 粒子選擇及注量率
  目前,國(guó)內(nèi)常用的單粒子效應(yīng)模擬試驗(yàn)輻射源有回旋加速器HIRFL(中科院近代物理研究所)、串列靜電加速器HI-13(中國(guó)原子能科學(xué)研究院),見(jiàn)表1?;匦铀倨?HIRFL 可將離子加速到很高的能量,加速后離子的LET值可超過(guò)95 MeV·cm²/mg。加速離子的射程長(zhǎng),可在大氣環(huán)境進(jìn)行試驗(yàn),注量率在1~104/(cm²·s)區(qū)間快速連續(xù)可調(diào),但改變離子種類(lèi)的時(shí)間較長(zhǎng),一般需要3~4天時(shí)間。串列靜電加速器HI-13可以相對(duì)快速地改變離子的種類(lèi)和能量,最快只需30min,但調(diào)整離子注量率時(shí)間較長(zhǎng)(大約30min),提供的離子能量相對(duì)較低,離子射程一般較短,滿(mǎn)足最小射程(大于30μm)要求的離子,最大LET僅為37.2MeV·cm²/mg左右。

表1 擬選取的重離子及其特性 
  根據(jù)加速器現(xiàn)狀和各種離子調(diào)出的難易程度,綜合考慮離子種類(lèi)、能量、硅中的LET值及射程,選擇試驗(yàn)用離子。地面單粒子效應(yīng)試驗(yàn)通常用高注量率進(jìn)行,注量率一般在1~104/(cm²·s)。
 
1.2 單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng)
  單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)被測(cè)器件發(fā)生單粒子燒毀,且能夠遠(yuǎn)程控制,并能對(duì)陰極至陽(yáng)極的漏電流實(shí)時(shí)檢測(cè),并限制電流和調(diào)節(jié)反向電壓。單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng)包括實(shí)驗(yàn)室內(nèi)和實(shí)驗(yàn)室外兩部分:實(shí)驗(yàn)室內(nèi)主要完成單粒子效應(yīng)試驗(yàn)過(guò)程中的信號(hào)采集與分析,實(shí)驗(yàn)室外主要是實(shí)現(xiàn)對(duì)檢測(cè)系統(tǒng)的遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)和控制。整個(gè)檢測(cè)系統(tǒng)包括:試驗(yàn)子板、器件單粒子效應(yīng)測(cè)試裝置、高壓程控電源、主控機(jī)箱和遠(yuǎn)程監(jiān)控PC。被測(cè)器件置于試驗(yàn)子板上,放在加速器裝置中進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn),試驗(yàn)子板與器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)測(cè)試裝置連接。單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng)、路由器通過(guò)網(wǎng)線與PC相連。PC控制單粒子效應(yīng)檢測(cè)系統(tǒng)啟動(dòng)試驗(yàn)電路板運(yùn)行,自動(dòng)采集并分析試驗(yàn)電路板傳回的數(shù)據(jù)。
  單粒子效應(yīng)試驗(yàn)過(guò)程中,高壓二極管兩端加反向電壓,保持輻照偏置狀態(tài),并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)器件陰極至陽(yáng)極的漏電流IR。正常狀態(tài)下,漏電流很小,為nA級(jí)。為準(zhǔn)確地提取和測(cè)量微小電流信號(hào),采用高精度運(yùn)算放大器的nA級(jí)電流放大和檢測(cè)電路。檢測(cè)電路根據(jù)反饋電流放大型測(cè)量原理設(shè)計(jì),將電流轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),微信號(hào)采集原理如圖1所示。
 圖1微信號(hào)采集原理

1.3 單粒子效應(yīng)試驗(yàn)樣品制備
  對(duì)于傳統(tǒng)臺(tái)面工藝的玻璃鈍化封裝二極管,玻璃鈍化對(duì)終端的耐壓和漏電特性具有重要的作用。器件結(jié)構(gòu)外觀如圖2所示。玻璃鈍化層厚度達(dá)毫米級(jí),目前地面試驗(yàn)用重離子射程最大約為100µm,直接試驗(yàn)無(wú)法確保試驗(yàn)數(shù)據(jù)的有效性。一旦將產(chǎn)品開(kāi)封,PN結(jié)表面將失去絡(luò)合及保護(hù)層,二極管的反向擊穿特性由體內(nèi)擊穿變?yōu)楸砻骐妶?chǎng)擊穿,其擊穿電壓曲線將出現(xiàn)嚴(yán)重退化。在極短時(shí)間內(nèi),PN結(jié)表面形成大漏電溝道,導(dǎo)致產(chǎn)品失效。同時(shí),臺(tái)面工藝二極管在未涂覆玻璃鈍化層的情況下,兩極接上正常的工作電壓必然會(huì)擊穿兩個(gè)鉬電極之間的空氣介質(zhì),形成電火花,使器件導(dǎo)通。因此使用臺(tái)面工藝玻璃鈍化封裝硅高壓快恢復(fù)整流二極管進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn)存在一定難度。
 
圖2 玻璃鈍化封裝二極管結(jié)構(gòu)尺寸 
  針對(duì)臺(tái)面工藝玻璃鈍化封裝高壓快恢復(fù)整流二極管無(wú)法通過(guò)外力進(jìn)行“開(kāi)帽”或“磨剖”的問(wèn)題,采用“等效制樣”的方案。通過(guò)玻璃內(nèi)鈍化工藝(如圖3所示)對(duì)臺(tái)面深結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓二極管芯片實(shí)現(xiàn)芯片的鈍化保護(hù),改成金屬封裝,有效開(kāi)展臺(tái)面工藝高壓二極管的單粒子效應(yīng)試驗(yàn)。為了便于單粒子效應(yīng)試驗(yàn),將采用如圖4所示的TO封裝外形。
圖3 玻璃內(nèi)鈍化芯片結(jié)構(gòu) 
圖3 玻璃內(nèi)鈍化芯片結(jié)構(gòu)
  單粒子效應(yīng)檢測(cè)試驗(yàn)流程如圖5所示。開(kāi)始輻照時(shí),監(jiān)測(cè)并記錄輻照過(guò)程中器件陰極至陽(yáng)極的漏電流IR變化。當(dāng)IR明顯增大或達(dá)到規(guī)定值,且重新加電后器件導(dǎo)通,則判定發(fā)生單粒子燒毀效應(yīng);輻照至該反向電壓VR條件下器件出現(xiàn)失效或注量達(dá)到1×107/cm²,停止輻照,并對(duì)輻照后樣品進(jìn)行漏電流IR復(fù)測(cè),復(fù)測(cè)IR值大于一定值時(shí),判定器件發(fā)生單粒子燒毀。測(cè)試需滿(mǎn)足以下條件之一方可停止試驗(yàn):樣品在每一種偏置條件和LET下輻照累積注量達(dá)到1×107/cm²;發(fā)生1次SEB。
圖4內(nèi)鈍化芯片封裝外形;圖5單粒子效應(yīng)檢測(cè)試驗(yàn)流程 
 
2. 結(jié)果及分析
2.1 試驗(yàn)器件信息
  選取三款典型高壓快恢復(fù)整流二極管進(jìn)行地面單粒子效應(yīng)試驗(yàn),分別對(duì)三家公司1200V快恢復(fù)整流二極管進(jìn)行了試驗(yàn),試驗(yàn)器件信息見(jiàn)表2。

表2 試驗(yàn)器件信息 
 
2.2 試驗(yàn)數(shù)據(jù)及結(jié)果
  對(duì)A公司1200V快恢復(fù)整流二極管按照前述試驗(yàn)流程進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn),試驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表3。
表3 A公司1200V器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果 
  采用LET為81.35MeV·cm²/mg的Ta離子輻照A公司1200V硅快恢復(fù)整流二極管,施加反向偏置電壓進(jìn)行測(cè)試。在VR=1200V條件下,1#發(fā)生單粒子燒毀;在VR=720V條件下,輻照至1×107/cm²,2#、3#、4#均未發(fā)生單粒子燒毀;在VR=1000V條件下,2#發(fā)生單粒子燒毀;在VR=820V條件下,輻照至1×107/cm²,3#、4#均未發(fā)生單粒子燒毀;在VR=920V條件下,3#發(fā)生單粒子燒毀。因此在VR=820V偏置電壓下,該器件抗單粒子燒毀的LET閾值大于81.35MeV·cm²/mg。
  對(duì)B公司研制的1200V快恢復(fù)整流二極管按照前述等效制樣方法進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn)樣品制備,并按前述試驗(yàn)流程進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn),試驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表4。
表4 B公司1200V器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果 
  采用LET為81.35 MeV·cm²/mg的Ta離子輻照B公司1200V硅快恢復(fù)整流二極管,施加反向偏置電壓進(jìn)行測(cè)試。在V為600、720、940V條件下,器件未發(fā)生單粒子燒毀。因此在VR=940V偏置電壓下,該器件抗單粒子燒毀的LET閾值大于81.35 MeV·cm²/mg。
  對(duì)C公司研制的1200V快恢復(fù)整流二極管按照前述試驗(yàn)流程進(jìn)行單粒子效應(yīng)試驗(yàn),試驗(yàn)數(shù)據(jù)見(jiàn)表5。
  采用LET為79.24 MeV·cm²/mg的Ta離子輻照C公司1200V器件硅快恢復(fù)整流二極管,施加反向偏置電壓進(jìn)行測(cè)試。在VR=840V偏壓條件下,輻照至1×107/cm²,器件未發(fā)生單粒子燒毀;在VR=960V偏壓條件下,輻照至1.11×106/cm²注量的過(guò)程中,檢測(cè)到器件發(fā)生單粒子燒毀效應(yīng)。因此在VR=840V偏置電壓下,該器件抗單粒子燒毀的LET閾值大于79.24 MeV·cm²/mg;在79.24 MeV·cm²/mg下,抗單粒子燒毀的安全工作電壓范圍在840~960V之間。
表5 C公司1200V器件單粒子效應(yīng)試驗(yàn)數(shù)據(jù)結(jié)果 
 
2.3 燒毀失效機(jī)理
  二極管發(fā)生單粒子燒毀的位置既可能位于器件的終端結(jié)構(gòu),也可能位于有源區(qū)結(jié)構(gòu)。對(duì)于平面型高壓二極管器件,終端主要采用如圖6所示的場(chǎng)限環(huán)+場(chǎng)板結(jié)構(gòu)。當(dāng)高能粒子從終端區(qū)入射時(shí),由于終端表面區(qū)域沒(méi)有空穴載流子的抽取路徑,入射產(chǎn)生的空穴不得不從終端等位環(huán)處流出。這易使該區(qū)域瞬態(tài)電流急劇增加,導(dǎo)致該區(qū)域的溫度急劇增加,產(chǎn)生擊穿點(diǎn),從而引起器件產(chǎn)生SEB失效。
圖6 器件結(jié)構(gòu)示意圖 
  在有源區(qū)結(jié)構(gòu)中,高能重粒子入射后,在高能粒子軌跡附近會(huì)產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì),并在電場(chǎng)的作用下分別向陽(yáng)極和陰極運(yùn)動(dòng),形成電流。在該電流的作用下,耗盡層電場(chǎng)分布將發(fā)生改變。隨著電流的增大,耗盡層電場(chǎng)分布如圖7所示。局部電流會(huì)造成N-、N+結(jié)附近的電子密度增加,雪崩倍增效應(yīng)顯著,發(fā)生雪崩擊穿。在高的工作電壓下,器件于單粒子的入射軌跡附近發(fā)生動(dòng)態(tài)雪崩,在高壓和局部大電流的同時(shí)作用下,導(dǎo)致器件的局部過(guò)熱引起失效。
  以上為根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果對(duì)硅基二極管單粒子燒毀失效的初步分析,后續(xù)將開(kāi)展更為深入的失效機(jī)理研究。
圖7 輻照后電場(chǎng)分布 
 
3. 結(jié)語(yǔ)
  文中針對(duì)宇航型號(hào)用的硅基高壓快恢復(fù)整流二極管的單粒子效應(yīng)展開(kāi)了部分研究,形成了較為系統(tǒng)的高壓二極管單粒子評(píng)估的試驗(yàn)方法,并可工程化應(yīng)用。對(duì)典型高壓快恢復(fù)二極管進(jìn)行了單粒子效應(yīng)試驗(yàn)評(píng)估,獲得了試驗(yàn)數(shù)據(jù),可以為宇航型號(hào)應(yīng)用提供了數(shù)據(jù)支撐,同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究及研制單位加固設(shè)計(jì)提供了基本數(shù)據(jù)。




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