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N溝道增強型20A/60V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-08-08 11:15

N溝道增強型20A/60V MOSFET 
  海飛樂技術(shù)1S20N06LA4，N溝道增強型MOSFET，電壓60V，電流20A，內(nèi)阻27mΩ。采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，有快速開關(guān)，低導(dǎo)通電阻，低反向傳輸電容、低柵極電荷等優(yōu)點。應(yīng)用于小電機、應(yīng)急電源、不間斷電源、去頻閃等領(lǐng)域。包裝形式為TO-252，符合RoHS標準。
 
1S20N06LA4特點：
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
1S20N06LA4應(yīng)用：
電機
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強型20A/60V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型20A/60V MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型20A/60V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強型20A/60V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型20A/60V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強型20A/60V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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