N溝道增強(qiáng)型50A/60V MOSFET
作者:海飛樂技術(shù) 時間:2019-08-12 11:47
1S50N06LA4特點:
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
1S50N06LA4應(yīng)用:
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型50A/60V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型50A/60V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型50A/60V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
上一篇:N溝道增強(qiáng)型20A/60V MOSFET
下一篇:N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET