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N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-08-14 17:25

N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET 
  海飛樂(lè)技術(shù)80N06FA9，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓60V，電流80A，內(nèi)阻6.5mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，有快速開(kāi)關(guān)，低導(dǎo)通電阻，低反向傳輸電容、低柵極電荷等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于小電機(jī)、應(yīng)急電源、不間斷電源、去頻閃等領(lǐng)域。包裝形式為TO-220F，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
80N06FA9特點(diǎn)：
RDS(ON) <8.0mΩ @ VGS=10V  (Typ6.5mΩ)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
 
80N06FA9應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
 
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型80A/60V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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