N溝道增強(qiáng)型14A/100V MOSFET
作者:海飛樂技術(shù) 時(shí)間:2019-08-21 10:24
14N10-8特點(diǎn):
RDS(ON) <12m? @ VGS=10V (Typ9.9m?)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
14N10-8應(yīng)用:
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型14A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型14A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型14A/100V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
上一篇:N溝道增強(qiáng)型250A/60V MOSFET
下一篇:N溝道增強(qiáng)型180A/100V MOSFET