N溝道增強(qiáng)型180A/100V MOSFET
作者:海飛樂技術(shù) 時(shí)間:2019-08-23 15:40
180N10A特點(diǎn):
RDS(ON) <4.5mΩ @ VGS=10V
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
180N10A應(yīng)用:
電源開關(guān)應(yīng)用
硬開關(guān)和高頻電路
不間斷電源
N溝道增強(qiáng)型180A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型180A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型180A/100V MOSFET特性曲線圖
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