??N溝道增強(qiáng)型40A/100V MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-09-29 17:43
海飛樂技術(shù)40N10A4，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓100V，電流40A，內(nèi)阻14mΩ。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，有快速開關(guān)，低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于電機(jī)、應(yīng)急電源、不間斷電源、逆變器、去頻閃等領(lǐng)域。包裝形式為TO-252，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
40N10A4特點(diǎn)：
RDS(ON) <17m? @ VGS=10V (Typ14m?)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
40N10A4應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型40A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
40N10A4特點(diǎn)：
RDS(ON) <17m? @ VGS=10V (Typ14m?)
超低導(dǎo)通電阻
充分表征雪崩電壓和電流
封裝散熱性能好
40N10A4應(yīng)用：
電機(jī)
應(yīng)急電源
不間斷電源UPS
N溝道增強(qiáng)型40A/100V MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型40A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型40A/100V MOSFET特性曲線圖
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
上一篇：N溝道增強(qiáng)型80A/30V MOSFET
下一篇：N溝道增強(qiáng)型59A/300V MOSFET