N溝道增強(qiáng)型59A/300V MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-10-08 17:39

海飛樂技術(shù)59N30AN是采用自對準(zhǔn)平面技術(shù)的硅N溝道增強(qiáng)型VDMOSFET，它可以降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-3P，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

59N30AN特點(diǎn)：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試

59N30AN應(yīng)用：
電源開關(guān)電路
逆變器
通信電源
LED

N溝道增強(qiáng)型59A/300V MOSFET絕對值參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型59A/300V MOSFET電參數(shù)

N溝道增強(qiáng)型59A/300V MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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