N溝道48A/100V MOSFET
作者:海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間:2019-11-12 17:41
海飛樂(lè)技術(shù)M056N10A,N溝道MOSFET,電壓100V,電流48A,內(nèi)阻6.6mΩ。采用高單元密度溝槽技術(shù)設(shè)計(jì),可最大程度地降低導(dǎo)通電阻,為大多數(shù)AC/DC快速充電器的同步整流提供了優(yōu)良的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。包裝形式為TO-252,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
40N10A4特點(diǎn):
高單元密度溝槽技術(shù)
低導(dǎo)通電阻最小化導(dǎo)電損耗
低柵極電荷快速開(kāi)關(guān)
低熱阻
N溝道48A/100V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道48A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道48A/100V MOSFET特性曲線圖
海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國(guó)外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
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