??N溝道72A/500V超結(jié)功率MOSFET
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-11-14 17:45
FN80N50B特點：
快速開關(guān)
低導(dǎo)通電阻
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
FN80N50B應(yīng)用：
開關(guān)電源（SMPS）
不間斷電源（UPS）
功率因數(shù)校正（PFC）
N溝道72A/500V超結(jié)功率MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道72A/500V超結(jié)功率MOSFET電參數(shù)
功率MOSFET的IDM -脈沖漏極電流參數(shù)
該參數(shù)反映了器件可以處理的脈沖電流的高低，脈沖電流要遠高于連續(xù)的直流電流。定義IDM的目的在于：線的歐姆區(qū)。對于一定的柵-源電壓，MOSFET導(dǎo)通后，存在最大的漏極電流。如圖所示，對于給定的一個柵-源電壓，如果工作點位于線性區(qū)域內(nèi)，漏極電流的增大會提高漏-源電壓，由此增大導(dǎo)通損耗。長時間工作在大功率之下，將導(dǎo)致器件失效。因此，在典型柵極驅(qū)動電壓下，需要將額定IDM設(shè)定在區(qū)域之下。區(qū)域的分界點在Vgs和曲線相交點。
ID中并不包含開關(guān)損耗，并且實際使用時保持管表面溫度在25℃（Tcase）也很難。因此，硬開關(guān)應(yīng)用中實際開關(guān)電流通常小于ID 額定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。補充，如果采用熱阻JA的話可以估算出特定溫度下的ID，這個值更有現(xiàn)實意義。
海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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