??23A/1200V高壓MOSFET替換APT22F120B2
作者：海飛樂技術 時間：2019-11-20 17:37
23N120A47特點：
ESD能力提升
快速開關
低柵極電荷和低導通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
23N120A47應用：
電源開關電路
23A/1200V高壓MOSFET絕對值參數(shù)
23A/1200V高壓MOSFET電特性
23A/1200V高壓MOSFET特性曲線
海飛樂23N120A47可完全替換APT22F120B2。
APT22F120B2技術參數(shù)
FET類型：N溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25℃時）：23A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）Max：5V @ 2.5mA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）Max：260nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）Max：8370pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
不同 Id，Vgs時的 RdsOn（最大值）：700mΩ @ 12A，10V
工作溫度：-55℃~ 150℃（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3 變式
封裝形式Package：T-MAX
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：1200V
連續(xù)漏極電流ID：23A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質、高效的產品，和國外產品相比，我司的該款產品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
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