100A/100V大電流P溝道MOSFET

作者：海飛樂技術(shù) 時(shí)間：2019-11-21 17:46

海飛樂技術(shù)100P10A47采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，100A100V硅P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，低柵極電荷降低導(dǎo)通損耗，改善開關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種電源開關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-247，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

100P10A47特點(diǎn)：
RDS(ON) <27m? @ VGS=10V (Typ 22m?)
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝

100P10A47應(yīng)用：
電源開關(guān)
硬開關(guān)高頻電路
不間斷電源
應(yīng)急電源
電機(jī)

大電流P溝道100A/100V MOSFET絕對值參數(shù)

大電流P溝道100A/100V MOSFET電參數(shù)

大電流P溝道100A/100V MOSFET特性曲線圖

海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！

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100A/100V大電流P溝道MOSFET