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-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-12-23 17:50

-200V高壓PMOS 
  海飛樂(lè)技術(shù)5P20A4硅P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用先進(jìn)的平面技術(shù)工藝設(shè)計(jì)，低柵極電荷降低導(dǎo)通損耗，改善開(kāi)關(guān)性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種電源開(kāi)關(guān)電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為T(mén)O-252，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
5P20A4特點(diǎn)：
RDS(ON) <1.6? @ VGS=10V
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
 
5P20A4應(yīng)用：
電源開(kāi)關(guān)
硬開(kāi)關(guān)高頻電路
不間斷電源
應(yīng)急電源
電機(jī)
 
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管絕對(duì)值參數(shù)
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管絕對(duì)值參數(shù) 
 
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管電參數(shù)
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管電參數(shù) 
 
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線圖
-5A/-200V高壓PMOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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