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N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET

作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2019-12-26 17:54

N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET 
  海飛樂(lè)技術(shù)120N10AD，N溝道增強(qiáng)型MOSFET，電壓100V，電流120A，內(nèi)阻5mΩ。采用獨(dú)特優(yōu)化的超級(jí)溝道技術(shù)，提供最高效的高頻開(kāi)關(guān)性能，有低導(dǎo)通電阻，低反向傳輸電容、低柵極電荷、低開(kāi)關(guān)功率損耗等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于電機(jī)、控制器、逆變器、UPS等領(lǐng)域。包裝形式為QFN5*6，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
 
120N10AD特點(diǎn)：
RDS(ON) <5m? @ VGS=10V
超低導(dǎo)通損耗的高密度單元設(shè)計(jì)
完全表征的雪崩電壓和電流
極好的散熱封裝
 
120N10AD應(yīng)用：
電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用
硬開(kāi)關(guān)和高頻電路
不間斷電源
 
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET絕對(duì)值參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET特性曲線圖
N溝道增強(qiáng)型120A/100V MOSFET特性曲線圖 
 
 
  海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品，和國(guó)外產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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