N溝道增強(qiáng)型660A/40V MOSFET
作者:海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間:2020-05-13 16:16
FN660N04A特點(diǎn):
ESD能力提升
快速開(kāi)關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
FN660N04A應(yīng)用:
電源開(kāi)關(guān)電路
電機(jī)
逆變器
控制器
N溝道增強(qiáng)型660A/40V MOSFET絕對(duì)值參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型660A/40V MOSFET電參數(shù)
N溝道增強(qiáng)型660A/40V MOSFET特性曲線圖
海飛樂(lè)技術(shù)MOSFET采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國(guó)外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請(qǐng)聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!
上一篇:75A1200V二極管現(xiàn)貨替換RHRG75120
下一篇:N溝道4A/1000V增強(qiáng)型MOSFET