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N溝道4A/1000V增強型MOSFET

作者:海飛樂技術(shù) 時間:2020-05-18 15:35

N溝道4A/1000V增強型MOSFET 
  海飛樂4N100FA9,硅N溝道4A/1000V增強型MOSFET,采用自對準平面技術(shù),可降低導(dǎo)通損耗,改善開關(guān)性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-220F,符合RoHS標準。
 
4N100FA9
快速開關(guān)
低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量試驗
 
4N100FA9應(yīng)用:
適配器
充電器
SMPS備用電源
 
N溝道4A/1000V增強型MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道4A/1000V增強型MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道4A/1000V增強型MOSFET電參數(shù)
N溝道4A/1000V增強型MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道4A/1000V增強型MOSFET特性曲線圖
 
 
 
  海飛樂技術(shù)MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術(shù)封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關(guān)產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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