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N溝道增強型高壓1050V/10A MOSFET

作者:海飛樂技術 時間:2020-07-30 09:52

N溝道增強型高壓1050V/10A MOSFET 
  海飛樂技術10N1050AN是采用自對準平面技術的硅N溝道增強型高壓MOSFET,它可以降低導通損耗,改善開關性能,提高雪崩能量。該晶體管可用于各種功率開關電路,使系統(tǒng)小型化,效率更高。包裝形式為TO-3PN,符合RoHS標準。
 
10N1050AN
快速開關
低導通電阻(Rdson≤1.25Ω)
低柵極電荷
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
10N1050AN應用:
轉換器
充電器
開關電源電路
 
N溝道增強型1050V/10A MOSFET絕對值參數(shù)
N溝道增強型1050V/10A MOSFET絕對值參數(shù) 
 
N溝道增強型1050V/10A MOSFET電參數(shù)
  N溝道增強型1050V/10A MOSFET電參數(shù) 
 
N溝道增強型1050V/10A MOSFET特性曲線
N溝道增強型1050V/10A MOSFET特性曲線 
 
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝,為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的產(chǎn)品,和國外產(chǎn)品相比,我司的該款產(chǎn)品具有高品質(zhì)、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產(chǎn)品資料請聯(lián)系我司客服,我們期待您的咨詢與合作!




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