60V/120A大電流PMOS

  海飛樂技術120P06A47是大電流60V/120A PMOS，采用先進的溝槽工藝技術，低柵極電荷降低導通損耗，改善開關性能，提高雪崩能量。該晶體管可用于各種電源開關電路，使系統(tǒng)小型化，效率更高。包裝形式為TO-247，符合RoHS標準。
 
  PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據源漏電流的流向才能最后確認具體的源和漏。
 
  PMOS的工作原理與NMOS相類似。因為PMOS是N型硅襯底，其中的多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負電壓，亦即在PMOS的柵上施加的是負電荷電子，而在襯底感應的是可運動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層，不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響，襯底中感應的正電荷數量就等于PMOS柵上的負電荷的數量。當達到強反型時，在相對于源端為負的漏源電壓的作用下，源端的正電荷空穴經過導通的P型溝道到達漏端，形成從源到漏的源漏電流。同樣地，VGS越負(絕對值越大)，溝道的導通電阻越小，電流的數值越大。
 
120P06A47特點：
快速開關
低柵極電荷和低導通電阻
低反向傳輸電容
100%單脈沖雪崩能量測試
 
120P06A47應用：
電源開關
硬開關高頻電路
不間斷電源
應急電源
電機
 
60V/120A大電流PMOS絕對值參數  
60V/120A大電流PMOS電參數  
60V/120A大電流PMOS特性曲線圖  
 
  海飛樂技術MOSFET采用臺灣芯片及先進的工藝技術封裝，為您提供優(yōu)質、高效的產品，和國外產品相比，我司的該款產品具有高品質、貨期短、性價比高等優(yōu)點。更多相關產品資料請聯系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！



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