??4H-SIC碳化硅二極管的高溫特性
作者：海飛樂技術 時間：2018-03-09 09:36
通過仿真不同溫廈4H-SIC pn結二極管的正向I-V特性，可以較好的研究4H-SIC pn結二極管的高溫特性，對4H-SIC pn結二極管高溫特性的研究有重要意義。如圖1所示。
圖1 4H-SIC pn型二極管不同溫度下正向I-V特性
SiC碳化硅材料和器件優(yōu)于si材料的一大特性就是耐高溫，因此圖1針對不同溫度下的SIC碳化硅二極管的正向特性進行了對比。在T=300K時，理想工作區(qū)(即擴散區(qū))電壓范圍約在1.7V~2.6V，SIC二極管的理想因子n為1~1.25。在T=400K時，理思工作區(qū)電壓范圍在1.4V-2.4V，SIC二極管的理想因子n為1.3~1.7。在T=500K時，電壓在1.4V~2.1V，SIC二極管近似工作在少子擴散區(qū)，其理想因子n為1.5~1.7。在T=600K時，電壓在1.4V-1.8V，SIC碳化硅二極管近似工作在擴散區(qū)，其理想因子n為1.7~1.8，隨著電壓的增加，理想因子n逐漸增大至2，主要由于空間電荷區(qū)的復合作用影響。隨著電壓增加，電流逐漸達到飽和狀態(tài)。由于SIC二極管通過的電流隨溫度迅速增加，因此改變溫度，SIC碳化硅二極管比同類型二極管獲得更小的相同功率下的工作電壓，因而更加有效。研究結果進行列表總結見下表。
上一篇：4H-SIC碳化硅二極管的反向特性
下一篇：4H-SIC碳化硅二極管的理想因子