??4H-SIC碳化硅二極管的理想因子
作者：海飛樂(lè)技術(shù) 時(shí)間：2018-03-10 15:23
二極管正向工作曲線分為小電流區(qū)，少于擴(kuò)散區(qū)，以及大電流復(fù)合區(qū)三部分。圖1 選取了不同區(qū)域下n-T對(duì)比圖，I區(qū)為小電流區(qū)過(guò)渡到擴(kuò)散區(qū)階段，Ⅱ區(qū)為二極管少子擴(kuò)散區(qū)階段，Ⅲ區(qū)為隨著電壓增加，擴(kuò)散區(qū)過(guò)渡到大電流區(qū)階段。
圖1 SIC二極管理想因子與溫度關(guān)系
對(duì)于理想因子n=1，說(shuō)明電流主要由中性區(qū)的少數(shù)截流子擴(kuò)散引起的。正偏壓注入載流子穿越空間電荷區(qū)，使得空間電荷區(qū)截流子濃度可能超過(guò)平衡位。因而，空間電荷層中會(huì)有非平衡載流子復(fù)合產(chǎn)生的電流，即空間電荷區(qū)正偏復(fù)合電流。對(duì)于n=2，說(shuō)明是由于電流受到空間電荷區(qū)復(fù)合過(guò)程的限制。隨著溫度升高，SIC二極管擴(kuò)散區(qū)的理想因子n在1~2之間呈緩慢上升趨勢(shì)，體現(xiàn)了其耐高溫特性，理想因子n越接近于l，工作狀態(tài)最為理想。
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