1200V碳化硅MOSFET系列選型

作者：海飛樂技術時間：2019-08-09 17:20

SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。

海飛樂技術SiC MOSFET在開發(fā)與應用方面，實現了傳統(tǒng)型半導體(Si)實現不了的低損耗,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本。尤其在高壓工作環(huán)境下,依然體現優(yōu)異的電氣特性,其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。

產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。