??650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
作者：海飛樂技術(shù) 時間：2019-08-09 17:25
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料。
海飛樂技術(shù)SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在大功率應(yīng)用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動態(tài)特性。在反向恢復(fù)瞬態(tài)，當(dāng)二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r，有很低的反向恢復(fù)時間，而且在整個工作溫度范圍內(nèi)保持不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。
海飛樂技術(shù)碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。
關(guān)斷波形圖(650V/10A產(chǎn)品)
650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
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