IRF6645TR1PBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRF6645TR1PBF應(yīng)用
  IRF6645PbF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)DirectFETTM封裝相結(jié)合，具有極低的導(dǎo)通電阻。封裝外形為Micro8，尺寸僅為0.7mm。DirectFET封裝與電力應(yīng)用中使用的現(xiàn)有布局結(jié)構(gòu)兼容。DirectFET封裝允許雙面冷卻，以最大限度地提高功率系統(tǒng)中的熱傳輸，改進(jìn)后熱阻可提高80%。
  IRF6645PbF針對(duì)隔離DC-DC應(yīng)用中的一次側(cè)橋拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，適用于寬范圍通用輸入電信應(yīng)用（36V-75V），和調(diào)節(jié)DC-DC拓?fù)渲械亩蝹?cè)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化。減少了裝置的總損耗，再加上高水平的熱性能，可以實(shí)現(xiàn)高效率和低溫，提高系統(tǒng)可靠性，使該器件成為高性能隔離DC-DC變換器的理想選擇。
 
IRF6645TR1PBF特性
符合RoHS
無(wú)鉛（合格溫度高達(dá)260℃回流焊）
高性能隔離轉(zhuǎn)換器的理想選擇
同步整流優(yōu)化
低導(dǎo)通損耗
雙面冷卻兼容
與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容
 
IRF6645TR1PBF基本參數(shù)
制造商: Infineon 
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET 
安裝風(fēng)格: SMD/SMT 
封裝/箱體: DirectFET-SJ 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 100V 
Id-連續(xù)漏極電流: 5.7 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: ±20 V 
Vgs th-柵源極閾值電壓:  4.9 V 
Qg-柵極電荷: 14 nC 
最大工作溫度: + 150℃
Pd-功率耗散: 42 W 
高度: 0.7 mm 
長(zhǎng)度: 4.85 mm 
寬度: 3.95 mm 
正向跨導(dǎo)-最小值: 7.4 S 
下降時(shí)間: 5.1 ns 
上升時(shí)間: 5 ns 
工廠包裝數(shù)量: 1000 
單位重量: 500 mg 
 
IRF6645TR1PBF電力特性

 
IRF6645TR1PBF特性曲線  
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