IXFN66N50Q2應(yīng)用參數(shù)及替換

  IXFN66N50Q2是IXYS 500V/66A高壓MOSFET，SOT-227封裝。主要應(yīng)用于高壓AC DC電源，直流斬波，脈沖發(fā)生器等，產(chǎn)品具有高功率密度及易于安裝的優(yōu)點(diǎn)，使整機(jī)的機(jī)械結(jié)構(gòu)緊湊、簡(jiǎn)化、體積縮小、重量減輕、節(jié)電、節(jié)材、可靠性提高。
 
IXFN66N50Q2特性
低柵電阻的雙金屬工藝
用氮化鋁隔離
無(wú)箝位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）額定值
低封裝電感
快速本征整流器
 
IXFN66N50Q2應(yīng)用
DC-DC轉(zhuǎn)換器
開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源
直流斬波器
脈沖發(fā)生器
 
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IXFN66N50Q2技術(shù)參數(shù)資料
制造商:IXYS
Vgs -柵極-源極電壓:-±30 V
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝/箱體:SOT-227-4
工作溫度范圍:- 55℃~+ 150℃
尺寸:9.6 mmx38.2 mmx25.07 mm
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
下降時(shí)間:12 ns
Id-連續(xù)漏極電流:66 A
Pd-功率耗散:735 W
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:74 mOhms
上升時(shí)間:16 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60ns
典型接通延遲時(shí)間:32ns
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
單位重量:30 g
 
IXFN66N50Q2特性曲線圖

 
海飛樂(lè)技術(shù)500V 66A功率MOSFET模塊參數(shù)  
IXFN66N50Q2替換資料
  海飛樂(lè)技術(shù)500V 66A功率MOSFET模塊可完美替換IXFN66N50Q2，我司產(chǎn)品采用臺(tái)灣芯片及先進(jìn)的工藝技術(shù)封裝，為您提供優(yōu)質(zhì)、高效的可完全替換產(chǎn)品，和國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品相比，我司的該款產(chǎn)品具有貨期短、性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)。我們期待您的咨詢與合作！
 



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