IRFP064NPBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRFP064NPBF應(yīng)用
  英飛凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)，并以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換速率，使得IRF1404PBF成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
  對于更高功率要求的工業(yè)應(yīng)用，TO-247比TO-220封裝更加合適。他的隔離安裝孔與之前的TO-218封裝類似。TO-247與早期的TO-218封裝相似，但由于其獨(dú)立的安裝孔而優(yōu)于它。
 
IRFP064NPBF特性
先進(jìn)工藝技術(shù)
超低導(dǎo)通電阻
動態(tài)dv/dt額定值
175℃工作溫度
快速開關(guān)
完全雪崩額定值
 
IRFP064NPBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-247-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:55V
Id-連續(xù)漏極電流:110A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:-±20V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8V
Qg-柵極電荷:170nC
工作溫度范圍:- 55℃~ 175℃
Pd-功率耗散:200 W
尺寸:20.7 mmx15.87 mmx5.31 mm
工廠包裝數(shù)量:400
單位重量:5.600 g
 
IRFP064NPBF電力特性

 
IRFP064NPBF特性曲線圖  
 
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