IRFB38N20DPBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

  場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

IRFB38N20DPBF特性及應(yīng)用
  IRFB38N20DPBF是38A 200V場效應(yīng)管，封裝為TO-220。產(chǎn)品具有低柵漏電荷可降低開關(guān)損耗，充分表征電容有效COSS簡化設(shè)計(jì)及完全表征雪崩電壓和電流。主要應(yīng)用于高頻DC-DC變換器，等離子顯示屏等領(lǐng)域。
 
IRFB38N20DPBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
Id-連續(xù)漏極電流:44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:54 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:-±30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.8 V
Qg-柵極電荷:91 nC
工作溫度范圍:- 55℃~175℃
Pd-功率耗散:3.8 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨導(dǎo)-最小值:17 S
下降時(shí)間:47 ns
上升時(shí)間:95 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:29 ns
典型接通延遲時(shí)間:16 ns
單位重量:6 g
 
IRFB38N20DPBF其他參數(shù)

 
IRFB38N20DPBF特性曲線圖  
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