IRF6811STRPBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRF6811STRPBF應(yīng)用
  IRF6811STRPBF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)DirectFETTM封裝相結(jié)合，具有極低的導(dǎo)通電阻。封裝外形為Micro8，尺寸僅為0.7mm。DirectFET封裝與電力應(yīng)用中使用的現(xiàn)有布局結(jié)構(gòu)兼容。當(dāng)應(yīng)用于印刷電路板組裝設(shè)備和氣相，紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)，是遵循注意事項(xiàng)AN-1035中的有關(guān)制造方法和工藝。
  IRF6811STRPbF具有低柵極電阻、低電荷以及超低封裝電感，顯著降低了開關(guān)損耗。提高系統(tǒng)可靠性，使該器件成為高性能隔離DC-DC變換器的理想選擇。為最新一代處理器提供更高頻率的電源。
 
IRF6811STRPBF特性
符合RoHS
超薄（<0.7 mm）
雙面冷卻兼容
超低封裝電感
高頻開關(guān)優(yōu)化
CPU核心DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇
控制FET應(yīng)用的優(yōu)化
兼容現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)
100% RG測試
與DirectFET兼容的封裝外形
 
IRF6811STRPBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:DirectFET-SQ
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25V
Id-連續(xù)漏極電流:74 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.4 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:±16 V
Qg-柵極電荷:11 nC
Pd-功率耗散:32 W
尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
單位重量:215.558 mg
 
IRF6811STRPBF其他參數(shù)

 
IRF6811STRPBF特性曲線圖  
  IRF6811STRPBF深圳倉進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，更多相關(guān)產(chǎn)品信息及報(bào)價(jià)請聯(lián)系我司客服，我們期待您的咨詢與合作！
 
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