IRF4905PBF現(xiàn)貨參數(shù)應(yīng)用及PDF資料下載

IRF4905PBF應(yīng)用
  英飛凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)，并以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)轉(zhuǎn)換速率，使得IRF1404PBF成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
  TO-220封裝是所有商業(yè)工業(yè)應(yīng)用的普遍首選，功耗水平約為50W。低熱阻和低封裝成本的TO-220有助于其在全世界的廣泛接受工業(yè)。
 
IRF4905PBF特性
先進(jìn)工藝技術(shù)
超低導(dǎo)通電阻
動態(tài)dv/dt額定值
175℃工作溫度
快速開關(guān)
P溝道MOSFET
無鉛
完全雪崩額定值
 
IRF4905PBF基本參數(shù)
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 符合
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝/箱體:TO-220-3
晶體管極性:P-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
Id-連續(xù)漏極電流:70 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:-±20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Qg-柵極電荷:180 nC
工作溫度范圍:- 55℃~150℃
Pd-功率耗散:170 W
高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
單位重量:6 g
 
IRF4905PBF電力特性

 
IRF4905PBF特性曲線圖  
 
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